日韩av在线播放不卡丨午夜av资源丨午夜视频免费看丨亚洲美女性生活丨人人爱人人草丨91国产精品一区丨中文在线字幕av丨国产精品aⅴ丨人人爽人人澡人人人人妻丨久久三级中文欧大战字幕丨高hnp视频丨久久日av丨美国伊人网丨大乳三级a做爰大乳丨日本亚洲中文字幕不卡丨美女张开腿黄网站免费下载丨韩国伦理av丨欧洲美女粗暴牲交免费观看丨亚洲资源av无码日韩av无码丨欧美极品在线视频丨夜夜爽8888天天躁夜夜躁狠狠丨国产精品一卡二卡三卡破解版丨忘忧草在线社区www中国中文丨国产成人精品777丨精人妻无码一区二区三区

3 月 26 日 - 28 日，SEMICON China 2025 將在上海新國際博覽中心盛大召開。

覆蓋設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、軟件和服務(wù)等微電子、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)等產(chǎn)業(yè)鏈，規(guī)模較大、較具影響力的半導(dǎo)體專業(yè)展。來自各領(lǐng)域的專家學(xué)者、產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)將齊聚一堂，共赴這場(chǎng)半導(dǎo)體嘉年華！

本次展覽會(huì)，飛納電鏡展位號(hào) N2-2643，歡迎大家到現(xiàn)場(chǎng)交流和互動(dòng)！飛納電鏡還準(zhǔn)備了免費(fèi)互動(dòng)活動(dòng)，歡迎蒞臨展臺(tái)交流！

SEMICON CHINA 2025

會(huì)議時(shí)間：2025年3月26日-28日

會(huì)議地點(diǎn)：上海新國際博覽中心

展位號(hào)：N2-2643

SEMICON 2025 獲取觀眾注冊(cè)通道 

復(fù)納科技云展臺(tái)搶先看

復(fù)納科技在電子半導(dǎo)體領(lǐng)域，從微納表征和樣品制備、FIB 樣品精修、到微納制造，具有豐富的產(chǎn)品線，飛納電鏡 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)、飛納清潔度檢測(cè)系統(tǒng) ParticleX，飛納場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、表面拋光 / 截面切削制樣設(shè)備-氬離子研磨儀、臺(tái)式納米 CT 等，可以滿足多樣化的材料檢測(cè)需求以及復(fù)雜的制程工藝管控，實(shí)現(xiàn)缺陷和形貌觀察以及物性失效分析。

識(shí)別下方二維碼進(jìn)入復(fù)納科技云展臺(tái)，查看復(fù)納科技半導(dǎo)體行業(yè)綜合解決方案。

Part.1飛納臺(tái)式掃描電鏡

01 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)

Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)能夠提供多種測(cè)量模式，包括機(jī)械性能、相關(guān)性分析、磁性能、電機(jī)械性能和電性能等，覆蓋了從亞納米級(jí)地形測(cè)量到局部彈性、硬度、磁疇成像、壓電疇成像、導(dǎo)電性映射、局部表面電勢(shì)映射以及局部電性能等多個(gè)領(lǐng)域。

▌半導(dǎo)體材料-二硫化鉬（MoS）

02失效分析--飛納場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

失效分析是對(duì)于電子元器件的實(shí)效原因進(jìn)行診斷，這個(gè)過程中需要對(duì)失效位置的微觀形貌進(jìn)行檢測(cè)，并進(jìn)行成分分析。電子元器件的失效原因多樣，比如內(nèi)部存在雜質(zhì)、介在物、孔洞、腐蝕、開裂等，這些都無法在后續(xù)的加工中去除，反而容易引起造成更嚴(yán)重的破壞。因此，需要借助掃描電鏡，進(jìn)行快速判斷失效原因，具有非常重要的意義。

飛納臺(tái)式掃描電鏡分辨率優(yōu)于 1.0nm，15s 抽真空，30s 超快成像，可以快速過濾樣品，確認(rèn)分析位置和樣品前處理的狀況。具有防震技術(shù)，可以放置在 FA 實(shí)驗(yàn)室、高樓層辦公或者產(chǎn)線旁。為您提供高效、簡(jiǎn)單、精確的半導(dǎo)體解決方案，幫助您提升工藝良率。

Part.2 掃描電鏡制樣-離子研磨儀

對(duì)于電子元器件進(jìn)行失效分析時(shí)，對(duì)內(nèi)部的孔洞、雜質(zhì)等進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)觀察和分析時(shí)，需要借助離子研磨儀切割的方法，選擇合適的能量離子槍，利于離子束進(jìn)行剖面的切削或表面拋光處理，可以有效地解決以上問題。

MLCC 電容失效案例：

研磨前：無法確定 MLCC 燒結(jié)實(shí)際狀況，無法判斷失效原因離子研磨處理后：可以清晰看到 MLCC 介質(zhì)層存在孔洞等

結(jié)合能譜結(jié)果發(fā)現(xiàn) MLCC 介質(zhì)層還存在金屬氧化物

Part.3 FIB/TEM 制樣-離子精修儀

半導(dǎo)體行業(yè)需要使用透射電鏡（TEM）從原子尺度研究結(jié)構(gòu)、元素、價(jià)態(tài)、形貌對(duì)器件最終性能的影響。借助聚焦離子術(shù)（FIB），工作人員可以制備器件某區(qū)域的薄片樣品，用于 TEM 觀察分析。但是，F(xiàn)IB 制樣過程中鎵離子的注入以及所產(chǎn)生的非晶層，卻像一層難以驅(qū)散的迷霧，阻礙著人們獲得更高質(zhì)量的微觀成像和譜學(xué)分析結(jié)果。

Gentle Mill 離子精修儀配備設(shè)計(jì)的低能氬離子槍（100 - 2000 eV，連續(xù)可調(diào)），可在比 FIB 更低的電壓下精修樣品，從而大幅減少損傷層厚度，直至 1nm 以下。該方法可對(duì) FIB 樣品 / TEM 樣品進(jìn)行表面減薄、表面后處理、去除非晶層和氧化層，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品的表面清潔和最終精修，展現(xiàn)樣品原始形貌結(jié)構(gòu)，是改善 FIB 樣品的一種有效手段。此外，該設(shè)備還可以部分去除 TEM 觀察時(shí)在樣品表面產(chǎn)生的碳沉積，從而可以實(shí)現(xiàn)多次利用寶貴的 FIB 樣品的可能。

左圖為原始 FIB  (30kV) 處理薄片；右圖為經(jīng)過 Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片。Si-SiGe 多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品兩側(cè)均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘，以去除 FIB 薄片制備產(chǎn)生的非晶層。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少。

Part.4 NEOSCAN 臺(tái)式顯微 CT

顯微 CT 以其高分辨、非破壞和三維成像的能力，被廣泛應(yīng)用于電子元器件領(lǐng)域。在不影響設(shè)備完整性的前提下，可以準(zhǔn)確識(shí)別和分析各種電子元器件，包括微型晶體管、電容器、電阻器等，可以發(fā)現(xiàn)內(nèi)部可能存在的缺陷、焊接問題等，從而確保設(shè)備的品質(zhì)和可靠性。

NEOSCAN N90 以 500nm 體素尺寸掃描高級(jí) GPU，輕松分辨每一個(gè)TSV（通硅孔）

Part.5 VSParticle 納米研究平臺(tái)

在半導(dǎo)體加工中，顆粒污染是不可避免的。部分顆粒發(fā)生器無法穩(wěn)定的產(chǎn)生納米級(jí)（尤其是 23nm 以下）的顆粒，同時(shí)對(duì)于顆粒的組分限制較多，部分方法含有液體，不利于顆粒污染的去除。

VSParticle-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)無機(jī)納米結(jié)構(gòu)材料的打印直寫。印刷涂層的顆粒由火花燒蝕技術(shù)產(chǎn)生，氣溶膠顆粒典型粒徑在 20nm 以下，且不含表面活性劑或任何其他有機(jī)添加物質(zhì)。借助 VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)沖壓沉積模式，可以在晶圓選定區(qū)域沉積圖案或顆粒。同時(shí)搭載的納米粒子發(fā)生器可通過二次粒徑篩選，并沉積到選定區(qū)域，選定粒徑的顆粒可以進(jìn)行納米顆粒污染導(dǎo)致的失效模擬，或研究區(qū)域的顆粒清除效果。

顆粒輸出精度：±0.5nm，1-10nm 顆粒可選

Part.6 DEMSsolutions 原位樣品桿

在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中，晶體生長過程、相變結(jié)構(gòu)演變、器件性能測(cè)試、環(huán)境條件影響這幾個(gè)方面都會(huì)影響到器件最終出廠后的實(shí)際性能表現(xiàn)。如何從微觀層面研究上述因素對(duì)器件結(jié)構(gòu)、性能的影響，就顯得至關(guān)重要。

DENSsolutions 透射電鏡原位方案，采用側(cè)插式樣品桿設(shè)計(jì)、無需對(duì)電鏡做額外改裝、兼容市面上主流品牌透射電鏡，從高溫、低溫、電場(chǎng)、氣氛等方面提供一系列的原位透射方案，具體性能包括：分辨率 60 pm、最高溫度 1300 ℃、低溫度 -160 ℃、最大電場(chǎng) 300 kV/cm、最大氣壓 2Bar、兼容多種氣體。借助 DENSsolutions 方案，工作人員可以在高分辨觀察的同時(shí)，對(duì)材料、器件施加多種外場(chǎng)刺激，以研究晶體生長、結(jié)構(gòu)演變、環(huán)境條件的對(duì)器件結(jié)構(gòu)、性能的影響。